真空溅射镀膜机Load-locktypeSputteringEquipmentCS-200z 产品特性 / Product characteristics • Loadlock式，自动运行，操作简单 • 成膜面积大，均匀性好 • T/S距离60～180mm可调，适用广 • 可换托盘式，基板尺寸切换简便 • 2～8inch，方片，未定型片，切换兼容 • 向上溅射，向下溅射可选，颗粒抑制

SAL-3000 ALD原子层沉积系统SAL3000是一款适用于研究型的ALD原子层沉积设备，该设备最多可搭载6路前驱体，适用于4英寸（φ100mm）以下基底材料的镀膜。

PE-CVD解决方案与典型CVD反应器相比，等离子体增强型化学气相沉积(PE-CVD)提供了一种可使用更低温度沉积各种薄膜的有效替代方案，同时不会降低薄膜质量。高质量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉积，而CVD需要650℃至850℃的温度生产类似质量的镀膜。PE-CVD使用电能产生辉光放电(等离子体)，其中能量转移到气体混合物中。

系统中的PECVD可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。标准配置射频(RF)，可选用空阴密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体（ICP）源。

PICOSUN拥有30多年在芬兰ALD反应器制造而得到的专业技术。Tuomo Suntola博士，于1974年发明了ALD技术，是PICOSUN董事会的成员。我们的技术官SVEN LINDFORS从1975年开始连续的设计ALD系统。综合起来讲，PICOSUN拥有了200多年的ALD经验并贡献了100多项ALD。我们悠久的历史和广泛的背景使PICOSUN成为ALD技术优质的合作伙伴。技术参