超高真空多腔体电子束镀膜机是制备高纯度、高致密薄膜的核心设备,广泛应用于半导体、光学器件、航空航天及前沿科研领域。其通过在超高真空环境中,利用聚焦电子束轰击靶材产生蒸气,实现精准沉积。多腔体设计支持连续、无污染工艺流程。因系统复杂、真空要求严苛,操作不当易导致镀膜失败、靶材喷溅甚至设备损伤。掌握
超高真空多腔体电子束镀膜机科学、规范的使用方法,是实现真空稳、蒸发准、膜层优的关键。

一、使用前准备
查腔体状态:确认各腔门密封良好,无工具或样品遗留;
查靶材与基片:靶材无氧化、裂纹,安装牢固;基片清洁干燥,夹具匹配;
烘烤除气:对主腔及传输通道执行高温烘烤(通常150–250℃,持续12–48小时),加速材料放气,确保极限真空达标。
二、抽真空与检漏
启动分子泵组前,先用机械泵预抽至≤10Pa;
分子泵启动后,逐步关闭旁通阀,监控真空曲线;
达到本底真空(如≤5×10Pa)后,进行氦质谱检漏,确保无微小泄漏。
三、基片预处理
在预处理腔中进行离子溅射清洗或高温退火,去除表面吸附物;
传输机械臂需在真空下运行,避免大气暴露;
基片温度、转速、挡板位置按工艺设定精确调控。
四、电子束蒸发操作
预熔靶材:低功率扫描靶面,去除挥发性杂质,防止正式镀膜时喷溅;
聚焦与偏转校准:调整电磁线圈,使电子束精准轰击靶心;
速率控制:通过石英晶体振荡器(QCM)实时监测沉积速率(如0.1–5/s),闭环调节束流;
挡板同步:仅在稳定蒸发时开启挡板,避免初始不稳定蒸气污染基片。
五、镀后处理与破空
镀膜完成后,关闭电子枪,继续抽气冷却至室温;
若需退火,转入专用腔体控温处理;
破空操作前确认腔体温度<50℃,缓慢充入高纯氮气或干燥空气,防止热冲击或氧化。