SPTS作为的深硅刻蚀和牺牲层刻蚀设备的供应商，SPTS能够提供一系列的解决方案来满足客户的生产和开发要求。通过一系列的技术的开发，SPTS能为客户提供一系列的先进的工艺，比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圆上的封装（3D封装和芯片级封装）。

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深硅刻蚀工艺的主要过程包括：

1）钝化处理过程（C4F8等离子体）

一阶段：由C4F8产生CFn聚合物沉淀在所有的表面

2）刻蚀过程（SF6等离子体）

第二阶段：由于离子体的定向运动，基面上的聚合物被去除的速度要比在侧壁的去除速度快。

第三阶段：暴露的硅表面就会被F系物刻蚀掉，SF6源源不断提供等离子体，来实现深宽比的刻蚀。

深硅刻蚀的主要应用包括: MEMS，封装（TSV）,功率器件等等。

的深槽刻蚀设备，可以提供快的刻蚀速度，但同时保证侧面特征良好控制和一致性。通过软件以及硅技术实现了性能的工艺控制。

parameter ramping技术：

实时调节工艺过程参数，以达到佳侧面轮廓。

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